FDR6580. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDR6580

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: SSOT-8

Аналог (замена) для FDR6580

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDR6580 даташит

 ..1. Size:238K  fairchild semi
 fdr6580.pdf pdf_icon

FDR6580

April 1999 ADVANCE INFORMATION FDR6580 N-Chennal 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET General Description Features This N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using 11 A, 20 V. RDS(ON) = 0.009 @ VGS = 4.5 V Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process RDS(ON) = 0.013 @ VGS = 2.5 V. that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and ye

Другие IGBT... FDPF14N30T, FDPF15N65YDTU, FDPF18N20F, FDPF52N20T, FDPF79N15, FDPF7N50, FDPF7N50F, FDPF8N50NZT, IRFP250, FDR6674A, FDR840P, FDR842P, FDR844P, FDS2070N3, FDS2070N7, FDS2170N3, FDS2170N7