Справочник MOSFET. FDR6580

 

FDR6580 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDR6580
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: SSOT-8
 

 Аналог (замена) для FDR6580

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDR6580 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  fairchild semi
 fdr6580.pdf pdf_icon

FDR6580

April 1999ADVANCE INFORMATIONFDR6580N-Chennal 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using 11 A, 20 V. RDS(ON) = 0.009 @ VGS = 4.5 VFairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process RDS(ON) = 0.013 @ VGS = 2.5 V.that has been especially tailored to minimize the on-stateresistance and ye

Другие MOSFET... FDPF14N30T , FDPF15N65YDTU , FDPF18N20F , FDPF52N20T , FDPF79N15 , FDPF7N50 , FDPF7N50F , FDPF8N50NZT , STF13NM60N , FDR6674A , FDR840P , FDR842P , FDR844P , FDS2070N3 , FDS2070N7 , FDS2170N3 , FDS2170N7 .

History: TSM9409CS | AP9938AGEY | NVMD3P03 | SQ2348ES | AP18T10GJ | IXFT16N120P

 

 
Back to Top

 


 
.