Справочник MOSFET. FDR6580

 

FDR6580 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDR6580
   Маркировка: ..6580
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: SSOT-8

 Аналог (замена) для FDR6580

 

 

FDR6580 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  fairchild semi
 fdr6580.pdf

FDR6580 FDR6580

April 1999ADVANCE INFORMATIONFDR6580N-Chennal 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using 11 A, 20 V. RDS(ON) = 0.009 @ VGS = 4.5 VFairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process RDS(ON) = 0.013 @ VGS = 2.5 V.that has been especially tailored to minimize the on-stateresistance and ye

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IRFH4253D | IRF60B217

 

 
Back to Top