FDR6674A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDR6674A
   Código: .6674A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 46 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: SSOT-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDR6674A

FDR6674A Datasheet (PDF)

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fdr6674a.pdf

April 2001 FDR6674A 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 11.5 A, 30 V. RDS(ON) = 9.5 m @ VGS = 4.5 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 8.5 m @ VGS = 10 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized

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History: IRFP90N20DPBF

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: