FDR6674A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDR6674A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
Paquete / Cubierta: SSOT-8
Búsqueda de reemplazo de FDR6674A MOSFET
FDR6674A Datasheet (PDF)
fdr6674a.pdf

April 2001 FDR6674A 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 11.5 A, 30 V. RDS(ON) = 9.5 m @ VGS = 4.5 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 8.5 m @ VGS = 10 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized
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History: IRF460C | NCEP0114AS | STP4NB80 | IRL3202PBF | TK16G60W | SSF8521 | VBZM13N50
History: IRF460C | NCEP0114AS | STP4NB80 | IRL3202PBF | TK16G60W | SSF8521 | VBZM13N50



Liste
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