FDR6674A Todos los transistores

 

FDR6674A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDR6674A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: SSOT-8
 

 Búsqueda de reemplazo de FDR6674A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FDR6674A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:250K  fairchild semi
 fdr6674a.pdf pdf_icon

FDR6674A

April 2001 FDR6674A 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 11.5 A, 30 V. RDS(ON) = 9.5 m @ VGS = 4.5 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 8.5 m @ VGS = 10 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized

Otros transistores... FDPF15N65YDTU , FDPF18N20F , FDPF52N20T , FDPF79N15 , FDPF7N50 , FDPF7N50F , FDPF8N50NZT , FDR6580 , RFP50N06 , FDR840P , FDR842P , FDR844P , FDS2070N3 , FDS2070N7 , FDS2170N3 , FDS2170N7 , FDS3170N7 .

History: SI9953DY | SFW107N200C3

 

 
Back to Top

 


 
.