FDR6674A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDR6674A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: SSOT-8

Аналог (замена) для FDR6674A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDR6674A даташит

 ..1. Size:250K  fairchild semi
 fdr6674a.pdf pdf_icon

FDR6674A

April 2001 FDR6674A 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 11.5 A, 30 V. RDS(ON) = 9.5 m @ VGS = 4.5 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 8.5 m @ VGS = 10 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized

Другие IGBT... FDPF15N65YDTU, FDPF18N20F, FDPF52N20T, FDPF79N15, FDPF7N50, FDPF7N50F, FDPF8N50NZT, FDR6580, IRF1407, FDR840P, FDR842P, FDR844P, FDS2070N3, FDS2070N7, FDS2170N3, FDS2170N7, FDS3170N7