FDR842P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDR842P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: SSOT-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDR842P

FDR842P Datasheet (PDF)

..1. Size:139K fairchild semi
fdr842p.pdf

December 2001 FDR842P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses 11 A, 12 V RDS(ON) = 9 m @ VGS = 4.5 V Fairchilds advanced low voltage PowerTrench process. RDS(ON) = 12 m @ VGS = 2.5 V It has been optimized for battery power management RDS(ON) = 16 m @ VG

9.1. Size:87K fairchild semi
fdr844p.pdf

October 2001 FDR844P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses 10 A, 20 V. RDS(ON) = 11 m @ VGS = 4.5 V Fairchilds advanced low voltage PowerTrench process. RDS(ON) = 14 m @ VGS = 2.5 V It has been optimized for battery power management RDS(ON) = 20 m @VGS =

9.2. Size:222K fairchild semi
fdr840p.pdf

December 2000FDR840PP-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis P-Channel 2.5V specified MOSFET uses a rugged 10 A, 20 V. RDS(ON) = 12 m @ VGS = 4.5 Vgate PowerTrench process. It has been optimized forRDS(ON) = 17.5 m @ VGS = 2.5 Vpower management applications with a wide range ofgate drive voltage (2.5V

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: