FDR842P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDR842P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2135 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: SSOT-8

Аналог (замена) для FDR842P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDR842P даташит

 ..1. Size:139K  fairchild semi
 fdr842p.pdf pdf_icon

FDR842P

December 2001 FDR842P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses 11 A, 12 V RDS(ON) = 9 m @ VGS = 4.5 V Fairchild s advanced low voltage PowerTrench process. RDS(ON) = 12 m @ VGS = 2.5 V It has been optimized for battery power management RDS(ON) = 16 m @ VG

 9.1. Size:87K  fairchild semi
 fdr844p.pdf pdf_icon

FDR842P

October 2001 FDR844P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses 10 A, 20 V. RDS(ON) = 11 m @ VGS = 4.5 V Fairchild s advanced low voltage PowerTrench process. RDS(ON) = 14 m @ VGS = 2.5 V It has been optimized for battery power management RDS(ON) = 20 m @VGS =

 9.2. Size:222K  fairchild semi
 fdr840p.pdf pdf_icon

FDR842P

Другие IGBT... FDPF52N20T, FDPF79N15, FDPF7N50, FDPF7N50F, FDPF8N50NZT, FDR6580, FDR6674A, FDR840P, 10N65, FDR844P, FDS2070N3, FDS2070N7, FDS2170N3, FDS2170N7, FDS3170N7, FDS3612, FDS3670