FDR844P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDR844P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 884 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: SSOT-8

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FDR844P datasheet

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FDR844P

October 2001 FDR844P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses 10 A, 20 V. RDS(ON) = 11 m @ VGS = 4.5 V Fairchild s advanced low voltage PowerTrench process. RDS(ON) = 14 m @ VGS = 2.5 V It has been optimized for battery power management RDS(ON) = 20 m @VGS =

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FDR844P

December 2001 FDR842P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses 11 A, 12 V RDS(ON) = 9 m @ VGS = 4.5 V Fairchild s advanced low voltage PowerTrench process. RDS(ON) = 12 m @ VGS = 2.5 V It has been optimized for battery power management RDS(ON) = 16 m @ VG

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FDR844P

Otros transistores... FDPF79N15, FDPF7N50, FDPF7N50F, FDPF8N50NZT, FDR6580, FDR6674A, FDR840P, FDR842P, 5N60, FDS2070N3, FDS2070N7, FDS2170N3, FDS2170N7, FDS3170N7, FDS3612, FDS3670, FDS3680