FDR844P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDR844P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 884 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: SSOT-8

Аналог (замена) для FDR844P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDR844P даташит

 ..1. Size:87K  fairchild semi
 fdr844p.pdf pdf_icon

FDR844P

October 2001 FDR844P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses 10 A, 20 V. RDS(ON) = 11 m @ VGS = 4.5 V Fairchild s advanced low voltage PowerTrench process. RDS(ON) = 14 m @ VGS = 2.5 V It has been optimized for battery power management RDS(ON) = 20 m @VGS =

 9.1. Size:139K  fairchild semi
 fdr842p.pdf pdf_icon

FDR844P

December 2001 FDR842P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses 11 A, 12 V RDS(ON) = 9 m @ VGS = 4.5 V Fairchild s advanced low voltage PowerTrench process. RDS(ON) = 12 m @ VGS = 2.5 V It has been optimized for battery power management RDS(ON) = 16 m @ VG

 9.2. Size:222K  fairchild semi
 fdr840p.pdf pdf_icon

FDR844P

Другие IGBT... FDPF79N15, FDPF7N50, FDPF7N50F, FDPF8N50NZT, FDR6580, FDR6674A, FDR840P, FDR842P, 5N60, FDS2070N3, FDS2070N7, FDS2170N3, FDS2170N7, FDS3170N7, FDS3612, FDS3670, FDS3680