FDS2070N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDS2070N3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 102 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.078 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDS2070N3
FDS2070N3 Datasheet (PDF)
fds2070n3.pdf
February 2004FDS2070N3150V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 4.1 A, 150 V. RDS(ON) = 78 m @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DCRDS(ON) = 88 m @ VGS = 6.0 Vconverters using either synchronous or conventionalswitching PWM controllers. It has been optimized for High performan
fds2070n7.pdf
February 2004FDS2070N7150V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 4.1 A, 150 V. RDS(ON) = 78 m @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DCRDS(ON) = 88 m @ VGS = 6.0 Vconverters using either synchronous or conventionalswitching PWM controllers. It has been optimized for High performan
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Liste
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