FDS2070N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDS2070N3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 102 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.078 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для FDS2070N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS2070N3 даташит

 ..1. Size:181K  fairchild semi
 fds2070n3.pdf pdf_icon

FDS2070N3

February 2004 FDS2070N3 150V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 4.1 A, 150 V. RDS(ON) = 78 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 88 m @ VGS = 6.0 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for High performan

 6.1. Size:174K  fairchild semi
 fds2070n7.pdf pdf_icon

FDS2070N3

February 2004 FDS2070N7 150V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 4.1 A, 150 V. RDS(ON) = 78 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 88 m @ VGS = 6.0 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for High performan

Другие IGBT... FDPF7N50, FDPF7N50F, FDPF8N50NZT, FDR6580, FDR6674A, FDR840P, FDR842P, FDR844P, RFP50N06, FDS2070N7, FDS2170N3, FDS2170N7, FDS3170N7, FDS3612, FDS3670, FDS3680, FDS3682