FDS2070N7 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDS2070N7

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 102 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.078 Ohm

Encapsulados: SO-8

 Búsqueda de reemplazo de FDS2070N7 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FDS2070N7 datasheet

 ..1. Size:174K  fairchild semi
 fds2070n7.pdf pdf_icon

FDS2070N7

February 2004 FDS2070N7 150V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 4.1 A, 150 V. RDS(ON) = 78 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 88 m @ VGS = 6.0 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for High performan

 6.1. Size:181K  fairchild semi
 fds2070n3.pdf pdf_icon

FDS2070N7

February 2004 FDS2070N3 150V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 4.1 A, 150 V. RDS(ON) = 78 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 88 m @ VGS = 6.0 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for High performan

Otros transistores... FDPF7N50F, FDPF8N50NZT, FDR6580, FDR6674A, FDR840P, FDR842P, FDR844P, FDS2070N3, SI2302, FDS2170N3, FDS2170N7, FDS3170N7, FDS3612, FDS3670, FDS3680, FDS3682, FDS4070N3