FDS2070N7 Todos los transistores

 

FDS2070N7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDS2070N7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 102 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.078 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

FDS2070N7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:174K  fairchild semi
 fds2070n7.pdf pdf_icon

FDS2070N7

February 2004FDS2070N7150V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 4.1 A, 150 V. RDS(ON) = 78 m @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DCRDS(ON) = 88 m @ VGS = 6.0 Vconverters using either synchronous or conventionalswitching PWM controllers. It has been optimized for High performan

 6.1. Size:181K  fairchild semi
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FDS2070N7

February 2004FDS2070N3150V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 4.1 A, 150 V. RDS(ON) = 78 m @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DCRDS(ON) = 88 m @ VGS = 6.0 Vconverters using either synchronous or conventionalswitching PWM controllers. It has been optimized for High performan

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History: BRCS120P04DP | IRF7779L2TRPBF | SSM4502GM | FPF1C2P5BF07A | FQD20N06L | SGSP341 | AOK160A60FDL

 

 
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