Справочник MOSFET. FDS2070N7

 

FDS2070N7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDS2070N7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 102 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.078 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для FDS2070N7

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS2070N7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:174K  fairchild semi
 fds2070n7.pdf pdf_icon

FDS2070N7

February 2004FDS2070N7150V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 4.1 A, 150 V. RDS(ON) = 78 m @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DCRDS(ON) = 88 m @ VGS = 6.0 Vconverters using either synchronous or conventionalswitching PWM controllers. It has been optimized for High performan

 6.1. Size:181K  fairchild semi
 fds2070n3.pdf pdf_icon

FDS2070N7

February 2004FDS2070N3150V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 4.1 A, 150 V. RDS(ON) = 78 m @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DCRDS(ON) = 88 m @ VGS = 6.0 Vconverters using either synchronous or conventionalswitching PWM controllers. It has been optimized for High performan

Другие MOSFET... FDPF7N50F , FDPF8N50NZT , FDR6580 , FDR6674A , FDR840P , FDR842P , FDR844P , FDS2070N3 , IRFZ46N , FDS2170N3 , FDS2170N7 , FDS3170N7 , FDS3612 , FDS3670 , FDS3680 , FDS3682 , FDS4070N3 .

History: MCAC60N08Y-TP | MTM6N90 | STB190NF04T4 | IRFS240 | HSBA3058 | R6004ENJ | IRF3710SPBF

 

 
Back to Top

 


 
.