FDS2170N7 Todos los transistores

 

FDS2170N7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDS2170N7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.128 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

 Búsqueda de reemplazo de FDS2170N7 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FDS2170N7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:186K  fairchild semi
 fds2170n7.pdf pdf_icon

FDS2170N7

December 2003 FDS2170N7 200V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 3.0 A, 200 V. RDS(ON) = 128 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional High performance trench technology for extremely switching PWM controllers. It has been

 6.1. Size:180K  fairchild semi
 fds2170n3.pdf pdf_icon

FDS2170N7

January 2004FDS2170N3200V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 3.0 A, 200 V. RDS(ON) = 128 m @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DCconverters using either synchronous or conventional High performance trench technology for extremelyswitching PWM controllers. It has been optimized fo

Otros transistores... FDR6580 , FDR6674A , FDR840P , FDR842P , FDR844P , FDS2070N3 , FDS2070N7 , FDS2170N3 , 75N75 , FDS3170N7 , FDS3612 , FDS3670 , FDS3680 , FDS3682 , FDS4070N3 , FDS4070N7 , FDS4072N3 .

History: 2P998BC

 

 
Back to Top

 


 
.