FDS2170N7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDS2170N7
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 26 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.128 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDS2170N7
FDS2170N7 Datasheet (PDF)
fds2170n7.pdf
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fds2170n3.pdf
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History: STP130N10F3 | 2SK3566 | IRHE9110 | FDPF39N20
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Liste
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