FDS2170N7 Todos los transistores

 

FDS2170N7 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDS2170N7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.128 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

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Principales características: FDS2170N7

 ..1. Size:186K  fairchild semi
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FDS2170N7

December 2003 FDS2170N7 200V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 3.0 A, 200 V. RDS(ON) = 128 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional High performance trench technology for extremely switching PWM controllers. It has been

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FDS2170N7

January 2004 FDS2170N3 200V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 3.0 A, 200 V. RDS(ON) = 128 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional High performance trench technology for extremely switching PWM controllers. It has been optimized fo

Otros transistores... FDR6580 , FDR6674A , FDR840P , FDR842P , FDR844P , FDS2070N3 , FDS2070N7 , FDS2170N3 , 18N50 , FDS3170N7 , FDS3612 , FDS3670 , FDS3680 , FDS3682 , FDS4070N3 , FDS4070N7 , FDS4072N3 .

History: 18N60 | 2N5196 | DSG108N20NA

 

 
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