Справочник MOSFET. FDS2170N7

 

FDS2170N7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDS2170N7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.128 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для FDS2170N7

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS2170N7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:186K  fairchild semi
 fds2170n7.pdf pdf_icon

FDS2170N7

December 2003 FDS2170N7 200V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 3.0 A, 200 V. RDS(ON) = 128 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional High performance trench technology for extremely switching PWM controllers. It has been

 6.1. Size:180K  fairchild semi
 fds2170n3.pdf pdf_icon

FDS2170N7

January 2004FDS2170N3200V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 3.0 A, 200 V. RDS(ON) = 128 m @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DCconverters using either synchronous or conventional High performance trench technology for extremelyswitching PWM controllers. It has been optimized fo

Другие MOSFET... FDR6580 , FDR6674A , FDR840P , FDR842P , FDR844P , FDS2070N3 , FDS2070N7 , FDS2170N3 , 75N75 , FDS3170N7 , FDS3612 , FDS3670 , FDS3680 , FDS3682 , FDS4070N3 , FDS4070N7 , FDS4072N3 .

History: TPC60R150C | BRCS065N08SHRA | HUFA75337G3

 

 
Back to Top

 


 
.