FDS2170N7. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDS2170N7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.128 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для FDS2170N7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS2170N7 даташит

 ..1. Size:186K  fairchild semi
 fds2170n7.pdf pdf_icon

FDS2170N7

December 2003 FDS2170N7 200V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 3.0 A, 200 V. RDS(ON) = 128 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional High performance trench technology for extremely switching PWM controllers. It has been

 6.1. Size:180K  fairchild semi
 fds2170n3.pdf pdf_icon

FDS2170N7

January 2004 FDS2170N3 200V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 3.0 A, 200 V. RDS(ON) = 128 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional High performance trench technology for extremely switching PWM controllers. It has been optimized fo

Другие IGBT... FDR6580, FDR6674A, FDR840P, FDR842P, FDR844P, FDS2070N3, FDS2070N7, FDS2170N3, 18N50, FDS3170N7, FDS3612, FDS3670, FDS3680, FDS3682, FDS4070N3, FDS4070N7, FDS4072N3