FDS4780 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDS4780

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 384 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm

Encapsulados: SO-8

 Búsqueda de reemplazo de FDS4780 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FDS4780 datasheet

 ..1. Size:330K  fairchild semi
 fds4780.pdf pdf_icon

FDS4780

March 2003 FDS4780 40V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 10.8 A, 40 V. RDS(ON) = 10.5 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional Low gate charge (30 nC) switching PWM controllers. It has been optimized for low gate char

 9.1. Size:102K  fairchild semi
 fds4770.pdf pdf_icon

FDS4780

May 2004 FDS4770 40V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 13.2 A, 40 V. RDS(ON) = 7.5 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional Low gate charge switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON) and fas

Otros transistores... FDS4070N3, FDS4070N7, FDS4072N3, FDS4072N7, FDS4080N3, FDS4080N7, FDS4410A, FDS4770, 7N60, FDS5170N7, FDS5682, FDS5692Z, FDS6064N3, FDS6064N7, FDS6162N3, FDS6162N7, FDS6299S