FDS4780 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDS4780
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10.8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 9 ns
Выходная емкость (Cd): 384 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0105 Ohm
Тип корпуса: SO-8
FDS4780 Datasheet (PDF)
fds4780.pdf
March 2003 FDS4780 40V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 10.8 A, 40 V. RDS(ON) = 10.5 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional Low gate charge (30 nC) switching PWM controllers. It has been optimized for low gate char
fds4770.pdf
May 2004FDS477040V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 13.2 A, 40 V. RDS(ON) = 7.5 m @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DCconverters using either synchronous or conventional Low gate charge switching PWM controllers. It has been optimized forlow gate charge, low RDS(ON) and fas
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
