Справочник MOSFET. FDS4780

 

FDS4780 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDS4780
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 384 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для FDS4780

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS4780 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:330K  fairchild semi
 fds4780.pdf pdf_icon

FDS4780

March 2003 FDS4780 40V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 10.8 A, 40 V. RDS(ON) = 10.5 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional Low gate charge (30 nC) switching PWM controllers. It has been optimized for low gate char

 9.1. Size:102K  fairchild semi
 fds4770.pdf pdf_icon

FDS4780

May 2004FDS477040V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 13.2 A, 40 V. RDS(ON) = 7.5 m @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DCconverters using either synchronous or conventional Low gate charge switching PWM controllers. It has been optimized forlow gate charge, low RDS(ON) and fas

Другие MOSFET... FDS4070N3 , FDS4070N7 , FDS4072N3 , FDS4072N7 , FDS4080N3 , FDS4080N7 , FDS4410A , FDS4770 , MMIS60R580P , FDS5170N7 , FDS5682 , FDS5692Z , FDS6064N3 , FDS6064N7 , FDS6162N3 , FDS6162N7 , FDS6299S .

 

 
Back to Top

 


 
.