Справочник MOSFET. FDS4780

 

FDS4780 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDS4780
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 40 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 384 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для FDS4780

 

 

FDS4780 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:330K  fairchild semi
 fds4780.pdf

FDS4780 FDS4780

March 2003 FDS4780 40V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 10.8 A, 40 V. RDS(ON) = 10.5 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional Low gate charge (30 nC) switching PWM controllers. It has been optimized for low gate char

 9.1. Size:102K  fairchild semi
 fds4770.pdf

FDS4780 FDS4780

May 2004FDS477040V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 13.2 A, 40 V. RDS(ON) = 7.5 m @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DCconverters using either synchronous or conventional Low gate charge switching PWM controllers. It has been optimized forlow gate charge, low RDS(ON) and fas

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: MMN400A010U1

 

 
Back to Top