FDS4780. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDS4780

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 384 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для FDS4780

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS4780 даташит

 ..1. Size:330K  fairchild semi
 fds4780.pdf pdf_icon

FDS4780

March 2003 FDS4780 40V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 10.8 A, 40 V. RDS(ON) = 10.5 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional Low gate charge (30 nC) switching PWM controllers. It has been optimized for low gate char

 9.1. Size:102K  fairchild semi
 fds4770.pdf pdf_icon

FDS4780

May 2004 FDS4770 40V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 13.2 A, 40 V. RDS(ON) = 7.5 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional Low gate charge switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON) and fas

Другие IGBT... FDS4070N3, FDS4070N7, FDS4072N3, FDS4072N7, FDS4080N3, FDS4080N7, FDS4410A, FDS4770, 7N60, FDS5170N7, FDS5682, FDS5692Z, FDS6064N3, FDS6064N7, FDS6162N3, FDS6162N7, FDS6299S