FDS5170N7 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDS5170N7

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 329 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: SO-8

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FDS5170N7 datasheet

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FDS5170N7

May 2003 FDS5170N7 60V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 10.6 A, 60 V. RDS(ON) = 12 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 15 m @ VGS = 6.0 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for High pe

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