FDS5170N7 Todos los transistores

 

FDS5170N7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDS5170N7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 329 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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FDS5170N7 Datasheet (PDF)

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FDS5170N7

May 2003 FDS5170N7 60V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 10.6 A, 60 V. RDS(ON) = 12 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 15 m @ VGS = 6.0 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for High pe

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History: IXTR20P50P | IRFS830

 

 
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