FDS5170N7 - аналоги и даташиты транзистора

 

FDS5170N7 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FDS5170N7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 329 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для FDS5170N7

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS5170N7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:199K  fairchild semi
 fds5170n7.pdf pdf_icon

FDS5170N7

May 2003 FDS5170N7 60V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 10.6 A, 60 V. RDS(ON) = 12 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 15 m @ VGS = 6.0 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for High pe

Другие MOSFET... FDS4070N7 , FDS4072N3 , FDS4072N7 , FDS4080N3 , FDS4080N7 , FDS4410A , FDS4770 , FDS4780 , IRFZ48N , FDS5682 , FDS5692Z , FDS6064N3 , FDS6064N7 , FDS6162N3 , FDS6162N7 , FDS6299S , FDS6572A .

History: TK45P03M1 | HFD1N60S | VBM1101N | IPI26CN10NG | MTE50N15Q8 | HGB042N10A | IPP90R800C3

 

 
Back to Top

 


 
.