FDS5170N7. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDS5170N7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 329 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для FDS5170N7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS5170N7 даташит

 ..1. Size:199K  fairchild semi
 fds5170n7.pdf pdf_icon

FDS5170N7

May 2003 FDS5170N7 60V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 10.6 A, 60 V. RDS(ON) = 12 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 15 m @ VGS = 6.0 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for High pe

Другие IGBT... FDS4070N7, FDS4072N3, FDS4072N7, FDS4080N3, FDS4080N7, FDS4410A, FDS4770, FDS4780, IRFZ48N, FDS5682, FDS5692Z, FDS6064N3, FDS6064N7, FDS6162N3, FDS6162N7, FDS6299S, FDS6572A