FDS6064N7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDS6064N7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 70 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1403 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDS6064N7

FDS6064N7 Datasheet (PDF)

..1. Size:196K fairchild semi
fds6064n7.pdf

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6.1. Size:187K fairchild semi
fds6064n3.pdf

May 2003 FDS6064N3 20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Applications This N-Channel MOSFET has been designed Synchronous rectifier specifically to improve the overall efficiency of DC/DC DC/DC converter converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for FLMP SO-8 package: Enhanced thermal

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Liste

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