FDS6064N7 Todos los transistores

 

FDS6064N7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDS6064N7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1403 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

FDS6064N7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:196K  fairchild semi
 fds6064n7.pdf pdf_icon

FDS6064N7

May 2003 FDS6064N7 20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 23 A, 20 V. RDS(ON) = 3.5 m @ VGS = 4.5 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 4 m @ VGS = 2.5 Vconverters using either synchronous or conventional RDS(ON) = 6 m @ VGS = 1.8 V switching PWM controllers. It has b

 6.1. Size:187K  fairchild semi
 fds6064n3.pdf pdf_icon

FDS6064N7

May 2003 FDS6064N3 20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Applications This N-Channel MOSFET has been designed Synchronous rectifier specifically to improve the overall efficiency of DC/DC DC/DC converter converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for FLMP SO-8 package: Enhanced thermal

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: BSS84KR | NCEP11N10AK

 

 
Back to Top

 


 
.