FDS6064N7. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDS6064N7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1403 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для FDS6064N7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS6064N7 даташит

 ..1. Size:196K  fairchild semi
 fds6064n7.pdf pdf_icon

FDS6064N7

May 2003 FDS6064N7 20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 23 A, 20 V. RDS(ON) = 3.5 m @ VGS = 4.5 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 4 m @ VGS = 2.5 V converters using either synchronous or conventional RDS(ON) = 6 m @ VGS = 1.8 V switching PWM controllers. It has b

 6.1. Size:187K  fairchild semi
 fds6064n3.pdf pdf_icon

FDS6064N7

Другие IGBT... FDS4080N7, FDS4410A, FDS4770, FDS4780, FDS5170N7, FDS5682, FDS5692Z, FDS6064N3, IRF9640, FDS6162N3, FDS6162N7, FDS6299S, FDS6572A, FDS6609A, FDS6672A, FDS6673AZ, FDS6675A