Справочник MOSFET. FDS6064N7

 

FDS6064N7 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDS6064N7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 70 nC
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1403 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для FDS6064N7

 

 

FDS6064N7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:196K  fairchild semi
 fds6064n7.pdf

FDS6064N7 FDS6064N7

May 2003 FDS6064N7 20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 23 A, 20 V. RDS(ON) = 3.5 m @ VGS = 4.5 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 4 m @ VGS = 2.5 Vconverters using either synchronous or conventional RDS(ON) = 6 m @ VGS = 1.8 V switching PWM controllers. It has b

 6.1. Size:187K  fairchild semi
 fds6064n3.pdf

FDS6064N7 FDS6064N7

May 2003 FDS6064N3 20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Applications This N-Channel MOSFET has been designed Synchronous rectifier specifically to improve the overall efficiency of DC/DC DC/DC converter converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for FLMP SO-8 package: Enhanced thermal

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top