FDS6162N3 Todos los transistores

 

FDS6162N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDS6162N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1473 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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FDS6162N3 Datasheet (PDF)

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FDS6162N3

May 2003 FDS6162N3 20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 21 A, 20 V RDS(ON) = 4.5 m @ VGS = 4.5 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 6.0 m @ VGS = 2.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for High pe

 6.1. Size:195K  fairchild semi
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FDS6162N3

May 2003 FDS6162N7 20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 23 A, 20 V RDS(ON) = 3.5 m @ VGS = 4.5 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 5.0 m @ VGS = 2.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for High pe

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History: NP82N055NHE | 2SK2596 | TT8K11 | BSO200P03S

 

 
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