Справочник MOSFET. FDS6162N3

 

FDS6162N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDS6162N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1473 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS6162N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  fairchild semi
 fds6162n3.pdf pdf_icon

FDS6162N3

May 2003 FDS6162N3 20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 21 A, 20 V RDS(ON) = 4.5 m @ VGS = 4.5 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 6.0 m @ VGS = 2.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for High pe

 6.1. Size:195K  fairchild semi
 fds6162n7.pdf pdf_icon

FDS6162N3

May 2003 FDS6162N7 20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 23 A, 20 V RDS(ON) = 3.5 m @ VGS = 4.5 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 5.0 m @ VGS = 2.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for High pe

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FQP1N50 | NCEP065N10GU

 

 
Back to Top

 


 
.