FDS7288N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDS7288N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 49 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 845 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDS7288N3

FDS7288N3 Datasheet (PDF)

..1. Size:173K fairchild semi
fds7288n3.pdf

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9.1. Size:121K fairchild semi
fds7296n3.pdf

September 2004FDS7296N330V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET in the thermally enhanced 15 A, 30 V RDS(ON) = 8 m @ VGS = 10 VSO8 FLMP package has been designed specifically toRDS(ON) = 11 m @ VGS = 4.5 Vimprove the overall efficiency of DC/DC converters.Providing a balance of low RDS(ON) and Qg it is ideal f

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Liste

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