FDS7288N3 Todos los transistores

 

FDS7288N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDS7288N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 845 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

FDS7288N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:173K  fairchild semi
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FDS7288N3

February 2004 FDS7288N3 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET in the thermally enhanced 20.5 A, 30 V RDS(ON) = 4.5 m @ VGS = 10 V SO8 FLMP package has been designed specifically to RDS(ON) = 5.6 m @ VGS = 4.5 V improve the overall efficiency of DC/DC converters. Providing a balance of low RDS(ON) and Qg it is ideal for

 9.1. Size:121K  fairchild semi
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FDS7288N3

September 2004FDS7296N330V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET in the thermally enhanced 15 A, 30 V RDS(ON) = 8 m @ VGS = 10 VSO8 FLMP package has been designed specifically toRDS(ON) = 11 m @ VGS = 4.5 Vimprove the overall efficiency of DC/DC converters.Providing a balance of low RDS(ON) and Qg it is ideal f

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History: RJK0301DPC | WPM4801 | S68N08ZRN | HGN100N12SL | UT20N03 | FDMS3660AS | KRF7343

 

 
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