Справочник MOSFET. FDS7288N3

 

FDS7288N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDS7288N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 845 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для FDS7288N3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS7288N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:173K  fairchild semi
 fds7288n3.pdf pdf_icon

FDS7288N3

February 2004 FDS7288N3 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET in the thermally enhanced 20.5 A, 30 V RDS(ON) = 4.5 m @ VGS = 10 V SO8 FLMP package has been designed specifically to RDS(ON) = 5.6 m @ VGS = 4.5 V improve the overall efficiency of DC/DC converters. Providing a balance of low RDS(ON) and Qg it is ideal for

 9.1. Size:121K  fairchild semi
 fds7296n3.pdf pdf_icon

FDS7288N3

September 2004FDS7296N330V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET in the thermally enhanced 15 A, 30 V RDS(ON) = 8 m @ VGS = 10 VSO8 FLMP package has been designed specifically toRDS(ON) = 11 m @ VGS = 4.5 Vimprove the overall efficiency of DC/DC converters.Providing a balance of low RDS(ON) and Qg it is ideal f

Другие MOSFET... FDS7066N7 , FDS7079ZN3 , FDS7082N3 , FDS7088N3 , FDS7088N7 , FDS7088SN3 , FDS7096N3 , FDS7098N3 , IRF3710 , FDS7296N3 , FDS7760A , FDS7764S , FDS7779Z , FDS7788 , FDS8670 , FDS8812NZ , FDS8874 .

History: IRFZ14L | DH065N04D | P1850EF | 2SK2494-01 | DMN67D8LW | S40N12M | BRCS120N06SYM

 

 
Back to Top

 


 
.