Справочник MOSFET. FDS7288N3

 

FDS7288N3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDS7288N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 49 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 845 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для FDS7288N3

 

 

FDS7288N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:173K  fairchild semi
 fds7288n3.pdf

FDS7288N3 FDS7288N3

February 2004 FDS7288N3 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET in the thermally enhanced 20.5 A, 30 V RDS(ON) = 4.5 m @ VGS = 10 V SO8 FLMP package has been designed specifically to RDS(ON) = 5.6 m @ VGS = 4.5 V improve the overall efficiency of DC/DC converters. Providing a balance of low RDS(ON) and Qg it is ideal for

 9.1. Size:121K  fairchild semi
 fds7296n3.pdf

FDS7288N3 FDS7288N3

September 2004FDS7296N330V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET in the thermally enhanced 15 A, 30 V RDS(ON) = 8 m @ VGS = 10 VSO8 FLMP package has been designed specifically toRDS(ON) = 11 m @ VGS = 4.5 Vimprove the overall efficiency of DC/DC converters.Providing a balance of low RDS(ON) and Qg it is ideal f

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top