IRFR014A Todos los transistores

 

IRFR014A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFR014A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 18 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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IRFR014A Datasheet (PDF)

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IRFR014A

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IRFR014A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.14 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 8.2 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaA Lower Leakage Current : 10 (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.097 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Chara

 7.1. Size:169K  1
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IRFR014A

 7.2. Size:172K  international rectifier
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IRFR014A

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History: STF8N65M5 | IRLR8256 | 2SK2751 | SUM6K1N | IPP80N06S4-05 | IPI45N06S4-09

 

 
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