IRFR014A - аналоги и даташиты транзистора

 

IRFR014A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRFR014A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IRFR014A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR014A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:431K  1
 irfu014a irfr014a.pdf pdf_icon

IRFR014A

 ..2. Size:494K  samsung
 irfr014a.pdf pdf_icon

IRFR014A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.14 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 8.2 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaA Lower Leakage Current : 10 (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.097 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Chara

 7.1. Size:169K  1
 irfr010 irfr012 irfr014 irfr015.pdf pdf_icon

IRFR014A

 7.2. Size:172K  international rectifier
 irfr014.pdf pdf_icon

IRFR014A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFPG30 , IRFPG40 , IRFPG50 , IRFPS37N50A , IRFPS59N60C , IRFR010 , IRFR012 , IRFR014 , IRF740 , IRFR015 , IRFR020 , IRFR022 , IRFR024 , IRFR024A , IRFR024N , IRFR025 , IRFR110 .

History: 9N90C | APT5010LVFR | BLP10N20J-P | IXTH24N50L | FQD3N30TM | DH1K1N10D | BLP065N08GL-Q

 

 
Back to Top

 


 
.