IRFR014A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFR014A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IRFR014A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR014A даташит

 ..1. Size:431K  1
 irfu014a irfr014a.pdf pdf_icon

IRFR014A

 ..2. Size:494K  samsung
 irfr014a.pdf pdf_icon

IRFR014A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 60 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.14 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 8.2 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area A Lower Leakage Current 10 (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) 0.097 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Chara

 7.1. Size:169K  1
 irfr010 irfr012 irfr014 irfr015.pdf pdf_icon

IRFR014A

 7.2. Size:172K  international rectifier
 irfr014.pdf pdf_icon

IRFR014A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFPG30, IRFPG40, IRFPG50, IRFPS37N50A, IRFPS59N60C, IRFR010, IRFR012, IRFR014, IRF740, IRFR015, IRFR020, IRFR022, IRFR024, IRFR024A, IRFR024N, IRFR025, IRFR110