IRFR014A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRFR014A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для IRFR014A
IRFR014A Datasheet (PDF)
irfr014a.pdf

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.14 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 8.2 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaA Lower Leakage Current : 10 (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.097 (Typ.) 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Chara
Другие MOSFET... IRFPG30 , IRFPG40 , IRFPG50 , IRFPS37N50A , IRFPS59N60C , IRFR010 , IRFR012 , IRFR014 , IRF740 , IRFR015 , IRFR020 , IRFR022 , IRFR024 , IRFR024A , IRFR024N , IRFR025 , IRFR110 .
History: AOY528 | STF110N10F7 | AP6P025S | STF10N80K5 | OSG55R580FEF | DMT8012LFG
History: AOY528 | STF110N10F7 | AP6P025S | STF10N80K5 | OSG55R580FEF | DMT8012LFG



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003 | 2sa1015 | ksc3503 | c945 transistor datasheet | bt137 datasheet | 2n2907a datasheet