FDT3N40TF Todos los transistores

 

FDT3N40TF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDT3N40TF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223
     - Selección de transistores por parámetros

 

FDT3N40TF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:812K  fairchild semi
 fdt3n40tf.pdf pdf_icon

FDT3N40TF

April 2013FDT3N40N-Channel UniFETTM MOSFET400 V, 2.0 A, 3.4 Features Description RDS(on) = 3.4 (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 1.0 A UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductors high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. Low Gate Charge (Typ. 4.5 nC)This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to Low Crss (Typ. 3.7 pF)pr

 7.1. Size:261K  fairchild semi
 fdt3n40.pdf pdf_icon

FDT3N40TF

November 2009TMUniFETFDT3N40400V N-Channel MOSFETFeatures Description 2A, 400V, RDS(on) = 3.4 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effecttransistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 4.5 nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.7 pF)This advanced technology has been especially tailored to

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History: IRF7314Q | IRFSL31N20DP | HM4612 | P9515BD | OSG80R900FF | AP9563GK | AOTF7N70

 

 
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