Справочник MOSFET. FDT3N40TF

 

FDT3N40TF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDT3N40TF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.4 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223

 Аналог (замена) для FDT3N40TF

 

 

FDT3N40TF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:812K  fairchild semi
 fdt3n40tf.pdf

FDT3N40TF FDT3N40TF

April 2013FDT3N40N-Channel UniFETTM MOSFET400 V, 2.0 A, 3.4 Features Description RDS(on) = 3.4 (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 1.0 A UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductors high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. Low Gate Charge (Typ. 4.5 nC)This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to Low Crss (Typ. 3.7 pF)pr

 7.1. Size:261K  fairchild semi
 fdt3n40.pdf

FDT3N40TF FDT3N40TF

November 2009TMUniFETFDT3N40400V N-Channel MOSFETFeatures Description 2A, 400V, RDS(on) = 3.4 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effecttransistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 4.5 nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.7 pF)This advanced technology has been especially tailored to

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top