FDT3N40TF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDT3N40TF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.4 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для FDT3N40TF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDT3N40TF даташит

 ..1. Size:812K  fairchild semi
 fdt3n40tf.pdf pdf_icon

FDT3N40TF

April 2013 FDT3N40 N-Channel UniFETTM MOSFET 400 V, 2.0 A, 3.4 Features Description RDS(on) = 3.4 (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 1.0 A UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. Low Gate Charge (Typ. 4.5 nC) This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to Low Crss (Typ. 3.7 pF) pr

 7.1. Size:261K  fairchild semi
 fdt3n40.pdf pdf_icon

FDT3N40TF

November 2009 TM UniFET FDT3N40 400V N-Channel MOSFET Features Description 2A, 400V, RDS(on) = 3.4 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge ( typical 4.5 nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.7 pF) This advanced technology has been especially tailored to

Другие IGBT... FDS7760A, FDS7764S, FDS7779Z, FDS7788, FDS8670, FDS8812NZ, FDS8874, FDS9412A, IRFP250N, FDT461N, FDT55AN06LA0, FDU044AN03L, FDU068AN03L, FDU2572, FDU3580, FDU3706, FDU6030BL