FDT55AN06LA0 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDT55AN06LA0
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 8.9 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 88 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-223
Búsqueda de reemplazo de FDT55AN06LA0 MOSFET
FDT55AN06LA0 Datasheet (PDF)
fdt55an06la0.pdf

February 2008FDT55AN06LA0tmN-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 11A, 55mFeatures Applications RDS(on) = 44m ( Typ.)@ VGS = 5V, ID = 11A Motor / Body load control Qg(tot) = 7.6nC( Typ.),@ VGS = 5V. Power train management Low Miller Charge DC-AC converters Low QRR Body Diode Distributed power architectures and VRMs UIS Capability RoHS
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History: 4N65G-TF2-T | RJJ0101DPD
History: 4N65G-TF2-T | RJJ0101DPD



Liste
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