FDT55AN06LA0 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDT55AN06LA0
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 8.9 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 12.1 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 24 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 88 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.046 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-223
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDT55AN06LA0
FDT55AN06LA0 Datasheet (PDF)
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February 2008FDT55AN06LA0tmN-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 11A, 55mFeatures Applications RDS(on) = 44m ( Typ.)@ VGS = 5V, ID = 11A Motor / Body load control Qg(tot) = 7.6nC( Typ.),@ VGS = 5V. Power train management Low Miller Charge DC-AC converters Low QRR Body Diode Distributed power architectures and VRMs UIS Capability RoHS
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