FDT55AN06LA0 Todos los transistores

 

FDT55AN06LA0 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDT55AN06LA0
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 8.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 88 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223
 

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FDT55AN06LA0 Datasheet (PDF)

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FDT55AN06LA0

February 2008FDT55AN06LA0tmN-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 11A, 55mFeatures Applications RDS(on) = 44m ( Typ.)@ VGS = 5V, ID = 11A Motor / Body load control Qg(tot) = 7.6nC( Typ.),@ VGS = 5V. Power train management Low Miller Charge DC-AC converters Low QRR Body Diode Distributed power architectures and VRMs UIS Capability RoHS

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History: NTD3055-150T4 | STN4488L | IXFX21N100F

 

 
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