FDT55AN06LA0 Todos los transistores

 

FDT55AN06LA0 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDT55AN06LA0
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 8.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 88 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FDT55AN06LA0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:451K  fairchild semi
 fdt55an06la0.pdf pdf_icon

FDT55AN06LA0

February 2008FDT55AN06LA0tmN-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 11A, 55mFeatures Applications RDS(on) = 44m ( Typ.)@ VGS = 5V, ID = 11A Motor / Body load control Qg(tot) = 7.6nC( Typ.),@ VGS = 5V. Power train management Low Miller Charge DC-AC converters Low QRR Body Diode Distributed power architectures and VRMs UIS Capability RoHS

Otros transistores... FDS7779Z , FDS7788 , FDS8670 , FDS8812NZ , FDS8874 , FDS9412A , FDT3N40TF , FDT461N , K3569 , FDU044AN03L , FDU068AN03L , FDU2572 , FDU3580 , FDU3706 , FDU6030BL , FDU6296 , FDU6512A .

History: NCEP090N20T

 

 
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