FDT55AN06LA0 - аналоги и даташиты транзистора

 

FDT55AN06LA0 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FDT55AN06LA0
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 8.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для FDT55AN06LA0

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDT55AN06LA0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:451K  fairchild semi
 fdt55an06la0.pdf pdf_icon

FDT55AN06LA0

February 2008FDT55AN06LA0tmN-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 11A, 55mFeatures Applications RDS(on) = 44m ( Typ.)@ VGS = 5V, ID = 11A Motor / Body load control Qg(tot) = 7.6nC( Typ.),@ VGS = 5V. Power train management Low Miller Charge DC-AC converters Low QRR Body Diode Distributed power architectures and VRMs UIS Capability RoHS

Другие MOSFET... FDS7779Z , FDS7788 , FDS8670 , FDS8812NZ , FDS8874 , FDS9412A , FDT3N40TF , FDT461N , IRF9540 , FDU044AN03L , FDU068AN03L , FDU2572 , FDU3580 , FDU3706 , FDU6030BL , FDU6296 , FDU6512A .

History: IRFF213 | HAF1002S

 

 
Back to Top

 


 
.