FDT55AN06LA0 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDT55AN06LA0
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 8.9 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12.1 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 24 ns
Выходная емкость (Cd): 88 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.046 Ohm
Тип корпуса: SOT-223
Аналог (замена) для FDT55AN06LA0
FDT55AN06LA0 Datasheet (PDF)
..1. Size:451K fairchild semi
fdt55an06la0.pdf
fdt55an06la0.pdf
February 2008FDT55AN06LA0tmN-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 11A, 55mFeatures Applications RDS(on) = 44m ( Typ.)@ VGS = 5V, ID = 11A Motor / Body load control Qg(tot) = 7.6nC( Typ.),@ VGS = 5V. Power train management Low Miller Charge DC-AC converters Low QRR Body Diode Distributed power architectures and VRMs UIS Capability RoHS
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
