FDT55AN06LA0. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDT55AN06LA0

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 8.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для FDT55AN06LA0

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDT55AN06LA0 даташит

 ..1. Size:451K  fairchild semi
 fdt55an06la0.pdf pdf_icon

FDT55AN06LA0

February 2008 FDT55AN06LA0 tm N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 11A, 55m Features Applications RDS(on) = 44m ( Typ.)@ VGS = 5V, ID = 11A Motor / Body load control Qg(tot) = 7.6nC( Typ.),@ VGS = 5V. Power train management Low Miller Charge DC-AC converters Low QRR Body Diode Distributed power architectures and VRMs UIS Capability RoHS

Другие IGBT... FDS7779Z, FDS7788, FDS8670, FDS8812NZ, FDS8874, FDS9412A, FDT3N40TF, FDT461N, IRF9540, FDU044AN03L, FDU068AN03L, FDU2572, FDU3580, FDU3706, FDU6030BL, FDU6296, FDU6512A