FDU3580 Todos los transistores

 

FDU3580 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDU3580
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 144 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251AA
 

 Búsqueda de reemplazo de FDU3580 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FDU3580 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:119K  fairchild semi
 fdu3580.pdf pdf_icon

FDU3580

August 2001FDD3580/FDU358080V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 7.7 A, 80 V. RDS(ON) = 29 m @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DCRDS(ON) = 33 m @ VGS = 6 Vconverters using either synchronous or conventionalswitching PWM controllers. Low gate charge (34nC

Otros transistores... FDS8874 , FDS9412A , FDT3N40TF , FDT461N , FDT55AN06LA0 , FDU044AN03L , FDU068AN03L , FDU2572 , K4145 , FDU3706 , FDU6030BL , FDU6296 , FDU6512A , FDU6612A , FDU6676AS , FDU6680 , FDU6688 .

History: SI8413DB | FDPC5018SG | STS9NH3LL | FDBL86561F085 | FDBL0150N80 | FDPF52N20T | FDBL0210N80

 

 
Back to Top

 


 
.