FDU3580 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDU3580
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 42 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7.7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 35 nC
Tiempo de subida (tr): 8 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 144 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.029 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251AA
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FDU3580 Datasheet (PDF)
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August 2001FDD3580/FDU358080V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 7.7 A, 80 V. RDS(ON) = 29 m @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DCRDS(ON) = 33 m @ VGS = 6 Vconverters using either synchronous or conventionalswitching PWM controllers. Low gate charge (34nC
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