FDU3580 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDU3580

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 144 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm

Encapsulados: TO-251AA

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FDU3580 datasheet

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FDU3580

August 2001 FDD3580/FDU3580 80V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 7.7 A, 80 V. RDS(ON) = 29 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 33 m @ VGS = 6 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. Low gate charge (34nC

Otros transistores... FDS8874, FDS9412A, FDT3N40TF, FDT461N, FDT55AN06LA0, FDU044AN03L, FDU068AN03L, FDU2572, 2N7002, FDU3706, FDU6030BL, FDU6296, FDU6512A, FDU6612A, FDU6676AS, FDU6680, FDU6688