Справочник MOSFET. FDU3580

 

FDU3580 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDU3580
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 144 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
   Тип корпуса: TO-251AA
 

 Аналог (замена) для FDU3580

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDU3580 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:119K  fairchild semi
 fdu3580.pdf pdf_icon

FDU3580

August 2001FDD3580/FDU358080V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 7.7 A, 80 V. RDS(ON) = 29 m @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DCRDS(ON) = 33 m @ VGS = 6 Vconverters using either synchronous or conventionalswitching PWM controllers. Low gate charge (34nC

Другие MOSFET... FDS8874 , FDS9412A , FDT3N40TF , FDT461N , FDT55AN06LA0 , FDU044AN03L , FDU068AN03L , FDU2572 , K4145 , FDU3706 , FDU6030BL , FDU6296 , FDU6512A , FDU6612A , FDU6676AS , FDU6680 , FDU6688 .

 

 
Back to Top

 


 
.