FDU3580. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDU3580

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 144 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm

Тип корпуса: TO-251AA

Аналог (замена) для FDU3580

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDU3580 даташит

 ..1. Size:119K  fairchild semi
 fdu3580.pdf pdf_icon

FDU3580

August 2001 FDD3580/FDU3580 80V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 7.7 A, 80 V. RDS(ON) = 29 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 33 m @ VGS = 6 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. Low gate charge (34nC

Другие IGBT... FDS8874, FDS9412A, FDT3N40TF, FDT461N, FDT55AN06LA0, FDU044AN03L, FDU068AN03L, FDU2572, 2N7002, FDU3706, FDU6030BL, FDU6296, FDU6512A, FDU6612A, FDU6676AS, FDU6680, FDU6688