Справочник MOSFET. FDU3580

 

FDU3580 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDU3580
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 144 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
   Тип корпуса: TO-251AA

 Аналог (замена) для FDU3580

 

 

FDU3580 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:119K  fairchild semi
 fdu3580.pdf

FDU3580 FDU3580

August 2001FDD3580/FDU358080V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 7.7 A, 80 V. RDS(ON) = 29 m @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DCRDS(ON) = 33 m @ VGS = 6 Vconverters using either synchronous or conventionalswitching PWM controllers. Low gate charge (34nC

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top