FDU3706 Todos los transistores

 

FDU3706 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDU3706
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251AA
 

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FDU3706 Datasheet (PDF)

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FDU3706

April 2002 FDD3706/FDU3706 20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 50 A, 20 V RDS(ON) = 9 m @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 11 m @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional RDS(ON) = 16 m @ VGS = 2.5 V switching PWM controlle

 ..2. Size:106K  fairchild semi
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FDU3706

April 2002 FDD3706/FDU3706 20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 50 A, 20 V RDS(ON) = 9 m @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 11 m @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional RDS(ON) = 16 m @ VGS = 2.5 V switching PWM controlle

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