FDU3706. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDU3706

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO-251AA

Аналог (замена) для FDU3706

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDU3706 даташит

 ..1. Size:113K  fairchild semi
 fdd3706 fdu3706.pdf pdf_icon

FDU3706

April 2002 FDD3706/FDU3706 20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 50 A, 20 V RDS(ON) = 9 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 11 m @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional RDS(ON) = 16 m @ VGS = 2.5 V switching PWM controlle

 ..2. Size:106K  fairchild semi
 fdu3706.pdf pdf_icon

FDU3706

April 2002 FDD3706/FDU3706 20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 50 A, 20 V RDS(ON) = 9 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 11 m @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional RDS(ON) = 16 m @ VGS = 2.5 V switching PWM controlle

Другие IGBT... FDS9412A, FDT3N40TF, FDT461N, FDT55AN06LA0, FDU044AN03L, FDU068AN03L, FDU2572, FDU3580, IRF9540N, FDU6030BL, FDU6296, FDU6512A, FDU6612A, FDU6676AS, FDU6680, FDU6688, FDU6N50F