Справочник MOSFET. FDU3706

 

FDU3706 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDU3706
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO-251AA
 

 Аналог (замена) для FDU3706

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDU3706 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  fairchild semi
 fdd3706 fdu3706.pdf pdf_icon

FDU3706

April 2002 FDD3706/FDU3706 20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 50 A, 20 V RDS(ON) = 9 m @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 11 m @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional RDS(ON) = 16 m @ VGS = 2.5 V switching PWM controlle

 ..2. Size:106K  fairchild semi
 fdu3706.pdf pdf_icon

FDU3706

April 2002 FDD3706/FDU3706 20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 50 A, 20 V RDS(ON) = 9 m @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 11 m @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional RDS(ON) = 16 m @ VGS = 2.5 V switching PWM controlle

Другие MOSFET... FDS9412A , FDT3N40TF , FDT461N , FDT55AN06LA0 , FDU044AN03L , FDU068AN03L , FDU2572 , FDU3580 , IRF1010E , FDU6030BL , FDU6296 , FDU6512A , FDU6612A , FDU6676AS , FDU6680 , FDU6688 , FDU6N50F .

History: 2SK2020-01 | IPB80N06S2L-09 | SQM25N15-52 | BUK964R2-80E | 2SK2666 | SFF450M | P0660ATF

 

 
Back to Top

 


 
.