FDU8586 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDU8586
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 77 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251AA

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDU8586

FDU8586 Datasheet (PDF)

..1. Size:388K fairchild semi
fdd8586 fdu8586.pdf

January 2007FDD8586/FDU8586tmN-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 35A, 5.5mFeatures General Description Max rDS(on) = 5.5m at VGS = 10V, ID = 35AThis N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using Max rDS(on) = 8.5m at VGS = 4.5V, ID = 33A either synchronous or conventional switching PWMcontrollers. It h

8.1. Size:333K fairchild semi
fdd8580 fdu8580.pdf

July 2006FDD8580/FDU8580tmN-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 35A, 9mFeatures General DescriptionThis N-Channel MOSFET has been designed specifically Max rDS(on) = 9m at VGS = 10V, ID = 35Ato improve the overall efficiency of DC/DC converters using Max rDS(on) =13m at VGS = 4.5V, ID = 33A either synchronous or conventional switching PWMcontrollers. It has been opti

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Liste

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