Справочник MOSFET. FDU8586

 

FDU8586 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDU8586
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 77 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO-251AA
 

 Аналог (замена) для FDU8586

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDU8586 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:388K  fairchild semi
 fdd8586 fdu8586.pdf pdf_icon

FDU8586

January 2007FDD8586/FDU8586tmN-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 35A, 5.5mFeatures General Description Max rDS(on) = 5.5m at VGS = 10V, ID = 35AThis N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using Max rDS(on) = 8.5m at VGS = 4.5V, ID = 33A either synchronous or conventional switching PWMcontrollers. It h

 8.1. Size:333K  fairchild semi
 fdd8580 fdu8580.pdf pdf_icon

FDU8586

July 2006FDD8580/FDU8580tmN-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 35A, 9mFeatures General DescriptionThis N-Channel MOSFET has been designed specifically Max rDS(on) = 9m at VGS = 10V, ID = 35Ato improve the overall efficiency of DC/DC converters using Max rDS(on) =13m at VGS = 4.5V, ID = 33A either synchronous or conventional switching PWMcontrollers. It has been opti

Другие MOSFET... FDU6612A , FDU6676AS , FDU6680 , FDU6688 , FDU6N50F , FDU6N50TU , FDU7030BL , FDU8580 , 4N60 , FDU8770 , FDU8770F071 , FDU8778 , FDU8780 , FDU8780F071 , FDU8782 , FDU8796 , FDU8796F071 .

History: DMP3098L | TPV65R160C | PHP18NQ10T | SFF140J | MMN8818N | NTD6600N | CS5N65A4

 

 
Back to Top

 


 
.