FDU8586. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDU8586

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 77 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: TO-251AA

Аналог (замена) для FDU8586

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDU8586 даташит

 ..1. Size:388K  fairchild semi
 fdd8586 fdu8586.pdf pdf_icon

FDU8586

January 2007 FDD8586/FDU8586 tm N-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 35A, 5.5m Features General Description Max rDS(on) = 5.5m at VGS = 10V, ID = 35A This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using Max rDS(on) = 8.5m at VGS = 4.5V, ID = 33A either synchronous or conventional switching PWM controllers. It h

 8.1. Size:333K  fairchild semi
 fdd8580 fdu8580.pdf pdf_icon

FDU8586

July 2006 FDD8580/FDU8580 tm N-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 35A, 9m Features General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically Max rDS(on) = 9m at VGS = 10V, ID = 35A to improve the overall efficiency of DC/DC converters using Max rDS(on) =13m at VGS = 4.5V, ID = 33A either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been opti

Другие IGBT... FDU6612A, FDU6676AS, FDU6680, FDU6688, FDU6N50F, FDU6N50TU, FDU7030BL, FDU8580, 12N60, FDU8770, FDU8770F071, FDU8778, FDU8780, FDU8780F071, FDU8782, FDU8796, FDU8796F071