FDV302PNB8V001 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDV302PNB8V001
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDV302PNB8V001

FDV302PNB8V001 Datasheet (PDF)

7.1. Size:63K fairchild semi
fdv302p.pdf

October 1997 FDV302P Digital FET, P-Channel General Description Features-25 V, -0.12 A continuous, -0.5 A Peak.This P-Channel logic level enhancement mode field effect RDS(ON) = 13 @ VGS= -2.7 Vtransistor is produced using Fairchild's proprietary, high celldensity, DMOS technology. This very high density process is RDS(ON) = 10 @ VGS = -4.5 V.especially tailored t

7.2. Size:46K fairchild semi
fdv302p d87z fdv302p nb8v001.pdf

7.3. Size:165K onsemi
fdv302p.pdf

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