Справочник MOSFET. FDV302PNB8V001

 

FDV302PNB8V001 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDV302PNB8V001
   Маркировка: 302
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для FDV302PNB8V001

 

 

FDV302PNB8V001 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:63K  fairchild semi
 fdv302p.pdf

FDV302PNB8V001 FDV302PNB8V001

October 1997 FDV302P Digital FET, P-Channel General Description Features-25 V, -0.12 A continuous, -0.5 A Peak.This P-Channel logic level enhancement mode field effect RDS(ON) = 13 @ VGS= -2.7 Vtransistor is produced using Fairchild's proprietary, high celldensity, DMOS technology. This very high density process is RDS(ON) = 10 @ VGS = -4.5 V.especially tailored t

 7.2. Size:46K  fairchild semi
 fdv302p d87z fdv302p nb8v001.pdf

FDV302PNB8V001 FDV302PNB8V001

October 1997 FDV302P Digital FET, P-Channel General Description Features-25 V, -0.12 A continuous, -0.5 A Peak.This P-Channel logic level enhancement mode field effect RDS(ON) = 13 @ VGS= -2.7 Vtransistor is produced using Fairchild's proprietary, high celldensity, DMOS technology. This very high density process is RDS(ON) = 10 @ VGS = -4.5 V.especially tailored t

 7.3. Size:165K  onsemi
 fdv302p.pdf

FDV302PNB8V001 FDV302PNB8V001

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comON Semiconductor and the ON Semiconductor logo are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba ON Semiconductor or its subsidiaries in the United States and/or other countries. ON Semiconductor owns the rights to a number of patents, trademarks, copyrights, trade secrets, and oth

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top