FDW6923 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDW6923

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm

Encapsulados: TSSOP-8

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FDW6923 datasheet

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FDW6923

July 2008 FDW6923 P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET with Schottky Diode General Description Features This P-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged 3.5 A, 20 V. RDS(ON) = 0.045 @ VGS = 4.5 V gate version of Fairchild Semiconductor s advanced RDS(ON) = 0.075 @ VGS = 2.5 V PowerTrench process. It is combined with a low fo

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