FDW6923 Todos los transistores

 

FDW6923 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDW6923
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8
 

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FDW6923 Datasheet (PDF)

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FDW6923

July 2008 FDW6923 P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET with Schottky Diode General Description Features This P-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged 3.5 A, 20 V. RDS(ON) = 0.045 @ VGS = 4.5 V gate version of Fairchild Semiconductors advanced RDS(ON) = 0.075 @ VGS = 2.5 V PowerTrench process. It is combined with a low fo

Otros transistores... FDV304PNB8U003 , FDW252P , FDW254P , FDW254PZ , FDW256P , FDW258P , FDW262P , FDW264P , K2611 , FDZ201N , FDZ202P , FDZ204P , FDZ206P , FDZ208P , FDZ209N , FDZ291P , FDZ293P .

History: CJD04N65A | PSMN018-100ESF | NCEP058N85GU | ATM2312NSA | IMW120R090M1H | SQ4953EY | FDV304PD87Z

 

 
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