Справочник MOSFET. FDW6923

 

FDW6923 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDW6923
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8
 

 Аналог (замена) для FDW6923

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDW6923 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  fairchild semi
 fdw6923.pdf pdf_icon

FDW6923

July 2008 FDW6923 P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET with Schottky Diode General Description Features This P-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged 3.5 A, 20 V. RDS(ON) = 0.045 @ VGS = 4.5 V gate version of Fairchild Semiconductors advanced RDS(ON) = 0.075 @ VGS = 2.5 V PowerTrench process. It is combined with a low fo

Другие MOSFET... FDV304PNB8U003 , FDW252P , FDW254P , FDW254PZ , FDW256P , FDW258P , FDW262P , FDW264P , K2611 , FDZ201N , FDZ202P , FDZ204P , FDZ206P , FDZ208P , FDZ209N , FDZ291P , FDZ293P .

History: STWA88N65M5 | IRFY430CM

 

 
Back to Top

 


 
.