FDW6923. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDW6923

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: TSSOP-8

Аналог (замена) для FDW6923

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDW6923 даташит

 ..1. Size:224K  fairchild semi
 fdw6923.pdf pdf_icon

FDW6923

July 2008 FDW6923 P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET with Schottky Diode General Description Features This P-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged 3.5 A, 20 V. RDS(ON) = 0.045 @ VGS = 4.5 V gate version of Fairchild Semiconductor s advanced RDS(ON) = 0.075 @ VGS = 2.5 V PowerTrench process. It is combined with a low fo

Другие IGBT... FDV304PNB8U003, FDW252P, FDW254P, FDW254PZ, FDW256P, FDW258P, FDW262P, FDW264P, 8N60, FDZ201N, FDZ202P, FDZ204P, FDZ206P, FDZ208P, FDZ209N, FDZ291P, FDZ293P