FDW6923 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FDW6923
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
Тип корпуса: TSSOP-8
Аналог (замена) для FDW6923
FDW6923 Datasheet (PDF)
fdw6923.pdf
July 2008 FDW6923 P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET with Schottky Diode General Description Features This P-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged 3.5 A, 20 V. RDS(ON) = 0.045 @ VGS = 4.5 V gate version of Fairchild Semiconductors advanced RDS(ON) = 0.075 @ VGS = 2.5 V PowerTrench process. It is combined with a low fo
Другие MOSFET... FDV304PNB8U003 , FDW252P , FDW254P , FDW254PZ , FDW256P , FDW258P , FDW262P , FDW264P , 8N60 , FDZ201N , FDZ202P , FDZ204P , FDZ206P , FDZ208P , FDZ209N , FDZ291P , FDZ293P .
History: 5N65F | FDW252P | IPA80R1K0CE | MSK7D5N60F | IPI65R099C6 | AOT600A60L | STB200NF03-1
History: 5N65F | FDW252P | IPA80R1K0CE | MSK7D5N60F | IPI65R099C6 | AOT600A60L | STB200NF03-1
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
a970 transistor | 2sb560 | tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet | mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c


