FDW6923 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FDW6923
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
Тип корпуса: TSSOP-8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
FDW6923 Datasheet (PDF)
fdw6923.pdf

July 2008 FDW6923 P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET with Schottky Diode General Description Features This P-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged 3.5 A, 20 V. RDS(ON) = 0.045 @ VGS = 4.5 V gate version of Fairchild Semiconductors advanced RDS(ON) = 0.075 @ VGS = 2.5 V PowerTrench process. It is combined with a low fo
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: HM15P10D | TPP60R840C | SI9926DY | AP15N03GI | VBM2658 | PE5E6BA | WMN16N70SR
History: HM15P10D | TPP60R840C | SI9926DY | AP15N03GI | VBM2658 | PE5E6BA | WMN16N70SR



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
a970 transistor | 2sb560 | tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet | mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c