FDZ201N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDZ201N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 268 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: SSOT-6

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FDZ201N datasheet

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FDZ201N

January 2004 FDZ201N N-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET General Description Features Combining Fairchild s advanced 2.5V specified 9 A, 20 V. RDS(ON) = 18 m @ VGS = 4.5 V PowerTrench process with state-of-the-art BGA RDS(ON) = 30 m @ VGS = 2.5 V packaging, the FDZ201N minimizes both PCB space and RDS(ON). This BGA MOSFET embodies a Occupies onl

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FDZ201N

February 2006 FDZ206P P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET General Description Features Combining Fairchild s advanced 2.5V specified 13 A, 20 V. rDS(on) = 9.5 m @ VGS = 4.5 V PowerTrench process with state of the art BGA rDS(on) = 14.5 m @ VGS = 2.5 V packaging, the FDZ206P minimizes both PCB space and rDS(on). This BGA M

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FDZ201N

February 2006 FDZ208P P-Channel 30 Volt PowerTrench BGA MOSFET General Description Features Combining Fairchild s advanced 30 Volt P-Channel 12.5 A, 30 V. rDS(on) = 10.5 m @ VGS = 10 V Trench II Process with 25 Volts Vgs. Abs. Max Gate rDS(on) = 16.5 m @ VGS = 4.5 V Rating for the ultimate low rDS(on) Battery Protection MOSFET. Th

 9.3. Size:167K  fairchild semi
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FDZ201N

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