FDZ298N MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

FDZ298N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDZ298N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm

Encapsulados: BGA

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FDZ298N datasheet

..1. Size:136K fairchild semi
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May 2005 FDZ298N N-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET General Description Features Combining Fairchild s advanced 2.5V specified 6 A, 20 V RDS(ON) = 27 m @ VGS = 4.5 V PowerTrench process with state of the art BGA RDS(ON) = 39 m @ VGS = 2.5 V packaging, the FDZ298N minimizes both PCB space and RDS(ON). This BGA MOSFET embodies a Occupies only 2.

9.1. Size:208K fairchild semi
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February 2006 FDZ299P P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET General Description Features Combining Fairchild s advanced 2.5V specified 4.6 A, 20 V RDS(ON) = 55 m @ VGS = 4.5 V PowerTrench process with state of the art BGA RDS(ON) = 80 m @ VGS = 2.5 V packaging, the FDZ299P minimizes both PCB space and RDS(ON). This BGA MOSFET embodies a

9.2. Size:241K fairchild semi
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February 2006 FDZ291P P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET General Description Features Combining Fairchild s advanced 1.5V specified 4.6 A, 20 V RDS(ON) = 40 m @ VGS = 4.5 V PowerTrench process with state of the art BGA RDS(ON) = 60 m @ VGS = 2.5 V packaging, the FDZ291P minimizes both PCB space RDS(ON) = 160 m @ VGS = 1.5 V and

9.3. Size:145K fairchild semi
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July 2005 FDZ294N N-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET General Description Features Combining Fairchild s advanced 2.5V specified 6 A, 20 V RDS(ON) = 23 m @ VGS = 4.5 V PowerTrench process with state of the art BGA RDS(ON) = 34 m @ VGS = 2.5 V packaging, the FDZ294N minimizes both PCB space and RDS(ON). This BGA MOSFET embodies a Occupies only 2

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