Справочник MOSFET. FDZ298N

 

FDZ298N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDZ298N
   Маркировка: C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: BGA

 Аналог (замена) для FDZ298N

 

 

FDZ298N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:136K  fairchild semi
 fdz298n.pdf

FDZ298N FDZ298N

May 2005 FDZ298N N-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET General Description Features Combining Fairchilds advanced 2.5V specified 6 A, 20 V RDS(ON) = 27 m @ VGS = 4.5 V PowerTrench process with state of the art BGA RDS(ON) = 39 m @ VGS = 2.5 V packaging, the FDZ298N minimizes both PCB space and RDS(ON). This BGA MOSFET embodies a Occupies only 2.

 9.1. Size:208K  fairchild semi
 fdz299p.pdf

FDZ298N FDZ298N

February 2006 FDZ299P P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET General Description Features Combining Fairchilds advanced 2.5V specified 4.6 A, 20 V RDS(ON) = 55 m @ VGS = 4.5 V PowerTrench process with state of the art BGA RDS(ON) = 80 m @ VGS = 2.5 V packaging, the FDZ299P minimizes both PCB space and RDS(ON). This BGA MOSFET embodies a

 9.2. Size:241K  fairchild semi
 fdz291p.pdf

FDZ298N FDZ298N

February 2006 FDZ291P P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET General Description Features Combining Fairchilds advanced 1.5V specified 4.6 A, 20 V RDS(ON) = 40 m @ VGS = 4.5 V PowerTrench process with state of the art BGA RDS(ON) = 60 m @ VGS = 2.5 Vpackaging, the FDZ291P minimizes both PCB space RDS(ON) = 160 m @ VGS = 1.5 V and

 9.3. Size:145K  fairchild semi
 fdz294n.pdf

FDZ298N FDZ298N

July 2005 FDZ294N N-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET General Description Features Combining Fairchilds advanced 2.5V specified 6 A, 20 V RDS(ON) = 23 m @ VGS = 4.5 V PowerTrench process with state of the art BGA RDS(ON) = 34 m @ VGS = 2.5 V packaging, the FDZ294N minimizes both PCB space and RDS(ON). This BGA MOSFET embodies a Occupies only 2

 9.4. Size:240K  fairchild semi
 fdz293p.pdf

FDZ298N FDZ298N

Feb 2006 FDZ293P P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET General Description Features Combining Fairchilds advanced 2.5V specified 4.6 A, 20 V rDS(on) = 46 m @ VGS = 4.5 V PowerTrench process with state of the art BGA rDS(on) = 72 m @ VGS = 2.5 V packaging, the FDZ293P minimizes both PCB space and rDS(on). This BGA MOSFET embodies a

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top