FDZ3N513ZT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDZ3N513ZT

Tipo de FET: NMOS

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 5.5 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 1.9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.462 Ohm

Encapsulados: WL-CSP

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FDZ3N513ZT datasheet

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FDZ3N513ZT

July 2010 FDZ3N513ZT Integrated NMOS and Schottky Diode Features General Description The FDZ3N513ZT is a monolithic NMOS/ Schottky combination Monolithic NMOS and Schottky Diode (FETky) and is designed and wired to function as a discontinu- Ultra-small form factor 1mm x 1mm WLCSP ous conduction mode (DCM) boost LED power train for mobile LED backlighting applications. Max rDS(on)

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