FDZ3N513ZT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDZ3N513ZT
   Tipo de FET: NMOS
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 5.5 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 1.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.462 Ohm
   Paquete / Cubierta: WL-CSP
     - Selección de transistores por parámetros