FDZ3N513ZT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDZ3N513ZT
   Tipo de FET: NMOS
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 5.5 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 1.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.462 Ohm
   Paquete / Cubierta: WL-CSP

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FDZ3N513ZT Datasheet (PDF)

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fdz3n513zt.pdf

July 2010FDZ3N513ZTIntegrated NMOS and Schottky DiodeFeatures General DescriptionThe FDZ3N513ZT is a monolithic NMOS/ Schottky combination Monolithic NMOS and Schottky Diode(FETky) and is designed and wired to function as a discontinu- Ultra-small form factor 1mm x 1mm WLCSPous conduction mode (DCM) boost LED power train for mobile LED backlighting applications. Max rDS(on)

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Liste

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