Справочник MOSFET. FDZ3N513ZT

 

FDZ3N513ZT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDZ3N513ZT
   Маркировка: Z3
   Тип транзистора: NMOS
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 5.5 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1 nC
   trⓘ - Время нарастания: 1.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.462 Ohm
   Тип корпуса: WL-CSP

 Аналог (замена) для FDZ3N513ZT

 

 

FDZ3N513ZT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:336K  fairchild semi
 fdz3n513zt.pdf

FDZ3N513ZT FDZ3N513ZT

July 2010FDZ3N513ZTIntegrated NMOS and Schottky DiodeFeatures General DescriptionThe FDZ3N513ZT is a monolithic NMOS/ Schottky combination Monolithic NMOS and Schottky Diode(FETky) and is designed and wired to function as a discontinu- Ultra-small form factor 1mm x 1mm WLCSPous conduction mode (DCM) boost LED power train for mobile LED backlighting applications. Max rDS(on)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top