Справочник MOSFET. FDZ3N513ZT

 

FDZ3N513ZT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDZ3N513ZT
   Тип транзистора: NMOS
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 5.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   trⓘ - Время нарастания: 1.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.462 Ohm
   Тип корпуса: WL-CSP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDZ3N513ZT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:336K  fairchild semi
 fdz3n513zt.pdf pdf_icon

FDZ3N513ZT

July 2010FDZ3N513ZTIntegrated NMOS and Schottky DiodeFeatures General DescriptionThe FDZ3N513ZT is a monolithic NMOS/ Schottky combination Monolithic NMOS and Schottky Diode(FETky) and is designed and wired to function as a discontinu- Ultra-small form factor 1mm x 1mm WLCSPous conduction mode (DCM) boost LED power train for mobile LED backlighting applications. Max rDS(on)

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: AONS32302 | WMQ080N03LG2 | STP270N8F7 | FDZ192NZ | NTMSD2P102LR2 | SST80R1K3S | MPSA65M380B

 

 
Back to Top

 


 
.