FDZ3N513ZT - аналоги и даташиты транзистора

 

FDZ3N513ZT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FDZ3N513ZT
   Тип транзистора: NMOS
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 5.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.462 Ohm
   Тип корпуса: WL-CSP
 

 Аналог (замена) для FDZ3N513ZT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDZ3N513ZT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:336K  fairchild semi
 fdz3n513zt.pdf pdf_icon

FDZ3N513ZT

July 2010FDZ3N513ZTIntegrated NMOS and Schottky DiodeFeatures General DescriptionThe FDZ3N513ZT is a monolithic NMOS/ Schottky combination Monolithic NMOS and Schottky Diode(FETky) and is designed and wired to function as a discontinu- Ultra-small form factor 1mm x 1mm WLCSPous conduction mode (DCM) boost LED power train for mobile LED backlighting applications. Max rDS(on)

Другие MOSFET... FDZ206P , FDZ208P , FDZ209N , FDZ291P , FDZ293P , FDZ294N , FDZ298N , FDZ299P , IRF9640 , FDZ4670 , FDZ4670S , FDZ493P , FDZ5047N , FDZ7064AS , FDZ7064N , FDZ7296 , ZDX050N50 .

History: FQI34P10TU | IRFP260PBF | MTN8N60E3

 

 
Back to Top

 


 
.