FDZ3N513ZT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDZ3N513ZT

Тип транзистора: NMOS

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 5.5 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.462 Ohm

Тип корпуса: WL-CSP

Аналог (замена) для FDZ3N513ZT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDZ3N513ZT даташит

 ..1. Size:336K  fairchild semi
 fdz3n513zt.pdf pdf_icon

FDZ3N513ZT

July 2010 FDZ3N513ZT Integrated NMOS and Schottky Diode Features General Description The FDZ3N513ZT is a monolithic NMOS/ Schottky combination Monolithic NMOS and Schottky Diode (FETky) and is designed and wired to function as a discontinu- Ultra-small form factor 1mm x 1mm WLCSP ous conduction mode (DCM) boost LED power train for mobile LED backlighting applications. Max rDS(on)

Другие IGBT... FDZ206P, FDZ208P, FDZ209N, FDZ291P, FDZ293P, FDZ294N, FDZ298N, FDZ299P, IRF9640, FDZ4670, FDZ4670S, FDZ493P, FDZ5047N, FDZ7064AS, FDZ7064N, FDZ7296, ZDX050N50