FDZ4670S Todos los transistores

 

FDZ4670S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDZ4670S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1610 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm
   Paquete / Cubierta: FLFBGA3.5X4.0
 

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FDZ4670S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:364K  fairchild semi
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FDZ4670S

March 2008FDZ4670StmN-Channel PowerTrench SyncFET TM 30V, 25A, 2.4mFeatures General Description Max rDS(on) = 2.4m at VGS = 10V, ID = 25A Combining Fairchild's 30V PowerTrench process with state-of-the-art BGA packaging, the FDZ4670S minimizes both Max rDS(on) = 4.0m at VGS = 4.5V, ID = 19APCB space and rDS(on). This BGA MOSFET embodies a Ultra-thin package: l

 7.1. Size:253K  fairchild semi
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FDZ4670S

May 2007FDZ4670tmN-Channel PowerTrenchMOSFET BGA 30V, 25A, 2.5mFeatures General Description Max rDS(on) = 2.5m at VGS = 10V, ID = 25A Combining Farichilds 30V PowerTrench process with state-of-the-art BGA packaging, the FDZ4670 minimize both PCB space Max rDS(on) = 4.5m at VGS = 4.5V, ID = 18.5Aand rDS(on) . This BGA MOSFET embodies a breakthrough in Ultra-thin

Otros transistores... FDZ209N , FDZ291P , FDZ293P , FDZ294N , FDZ298N , FDZ299P , FDZ3N513ZT , FDZ4670 , EMB04N03H , FDZ493P , FDZ5047N , FDZ7064AS , FDZ7064N , FDZ7296 , ZDX050N50 , ZDX080N50 , ZVN0106A .

History: HGB220N25S | MMFT60R195PCTH | KRF7309 | 4N80G-TN3-R | BLP05N08G-P | FQB9N50TM | SM454AT9RL

 

 
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