FDZ4670S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDZ4670S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1610 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm

Encapsulados: FLFBGA3.5X4.0

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FDZ4670S datasheet

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FDZ4670S

March 2008 FDZ4670S tm N-Channel PowerTrench SyncFET TM 30V, 25A, 2.4m Features General Description Max rDS(on) = 2.4m at VGS = 10V, ID = 25A Combining Fairchild's 30V PowerTrench process with state-of-the-art BGA packaging, the FDZ4670S minimizes both Max rDS(on) = 4.0m at VGS = 4.5V, ID = 19A PCB space and rDS(on). This BGA MOSFET embodies a Ultra-thin package l

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FDZ4670S

May 2007 FDZ4670 tm N-Channel PowerTrench MOSFET BGA 30V, 25A, 2.5m Features General Description Max rDS(on) = 2.5m at VGS = 10V, ID = 25A Combining Farichild s 30V PowerTrench process with state-of- the-art BGA packaging, the FDZ4670 minimize both PCB space Max rDS(on) = 4.5m at VGS = 4.5V, ID = 18.5A and rDS(on) . This BGA MOSFET embodies a breakthrough in Ultra-thin

Otros transistores... FDZ209N, FDZ291P, FDZ293P, FDZ294N, FDZ298N, FDZ299P, FDZ3N513ZT, FDZ4670, AON7403, FDZ493P, FDZ5047N, FDZ7064AS, FDZ7064N, FDZ7296, ZDX050N50, ZDX080N50, ZVN0106A