Справочник MOSFET. FDZ4670S

 

FDZ4670S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDZ4670S
   Маркировка: 4670S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 49 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1610 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: FLFBGA3.5X4.0

 Аналог (замена) для FDZ4670S

 

 

FDZ4670S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:364K  fairchild semi
 fdz4670s.pdf

FDZ4670S FDZ4670S

March 2008FDZ4670StmN-Channel PowerTrench SyncFET TM 30V, 25A, 2.4mFeatures General Description Max rDS(on) = 2.4m at VGS = 10V, ID = 25A Combining Fairchild's 30V PowerTrench process with state-of-the-art BGA packaging, the FDZ4670S minimizes both Max rDS(on) = 4.0m at VGS = 4.5V, ID = 19APCB space and rDS(on). This BGA MOSFET embodies a Ultra-thin package: l

 7.1. Size:253K  fairchild semi
 fdz4670.pdf

FDZ4670S FDZ4670S

May 2007FDZ4670tmN-Channel PowerTrenchMOSFET BGA 30V, 25A, 2.5mFeatures General Description Max rDS(on) = 2.5m at VGS = 10V, ID = 25A Combining Farichilds 30V PowerTrench process with state-of-the-art BGA packaging, the FDZ4670 minimize both PCB space Max rDS(on) = 4.5m at VGS = 4.5V, ID = 18.5Aand rDS(on) . This BGA MOSFET embodies a breakthrough in Ultra-thin

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top