Справочник MOSFET. FDZ4670S

 

FDZ4670S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDZ4670S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1610 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: FLFBGA3.5X4.0
 

 Аналог (замена) для FDZ4670S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDZ4670S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:364K  fairchild semi
 fdz4670s.pdf pdf_icon

FDZ4670S

March 2008FDZ4670StmN-Channel PowerTrench SyncFET TM 30V, 25A, 2.4mFeatures General Description Max rDS(on) = 2.4m at VGS = 10V, ID = 25A Combining Fairchild's 30V PowerTrench process with state-of-the-art BGA packaging, the FDZ4670S minimizes both Max rDS(on) = 4.0m at VGS = 4.5V, ID = 19APCB space and rDS(on). This BGA MOSFET embodies a Ultra-thin package: l

 7.1. Size:253K  fairchild semi
 fdz4670.pdf pdf_icon

FDZ4670S

May 2007FDZ4670tmN-Channel PowerTrenchMOSFET BGA 30V, 25A, 2.5mFeatures General Description Max rDS(on) = 2.5m at VGS = 10V, ID = 25A Combining Farichilds 30V PowerTrench process with state-of-the-art BGA packaging, the FDZ4670 minimize both PCB space Max rDS(on) = 4.5m at VGS = 4.5V, ID = 18.5Aand rDS(on) . This BGA MOSFET embodies a breakthrough in Ultra-thin

Другие MOSFET... FDZ209N , FDZ291P , FDZ293P , FDZ294N , FDZ298N , FDZ299P , FDZ3N513ZT , FDZ4670 , EMB04N03H , FDZ493P , FDZ5047N , FDZ7064AS , FDZ7064N , FDZ7296 , ZDX050N50 , ZDX080N50 , ZVN0106A .

History: AP6N3R5LI | IPD90N06S4-05 | AUIRF8736M2TR | MTP4835Q8 | AONR34332C

 

 
Back to Top

 


 
.