FDZ4670S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDZ4670S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1610 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm

Тип корпуса: FLFBGA3.5X4.0

Аналог (замена) для FDZ4670S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDZ4670S даташит

 ..1. Size:364K  fairchild semi
 fdz4670s.pdf pdf_icon

FDZ4670S

March 2008 FDZ4670S tm N-Channel PowerTrench SyncFET TM 30V, 25A, 2.4m Features General Description Max rDS(on) = 2.4m at VGS = 10V, ID = 25A Combining Fairchild's 30V PowerTrench process with state-of-the-art BGA packaging, the FDZ4670S minimizes both Max rDS(on) = 4.0m at VGS = 4.5V, ID = 19A PCB space and rDS(on). This BGA MOSFET embodies a Ultra-thin package l

 7.1. Size:253K  fairchild semi
 fdz4670.pdf pdf_icon

FDZ4670S

May 2007 FDZ4670 tm N-Channel PowerTrench MOSFET BGA 30V, 25A, 2.5m Features General Description Max rDS(on) = 2.5m at VGS = 10V, ID = 25A Combining Farichild s 30V PowerTrench process with state-of- the-art BGA packaging, the FDZ4670 minimize both PCB space Max rDS(on) = 4.5m at VGS = 4.5V, ID = 18.5A and rDS(on) . This BGA MOSFET embodies a breakthrough in Ultra-thin

Другие IGBT... FDZ209N, FDZ291P, FDZ293P, FDZ294N, FDZ298N, FDZ299P, FDZ3N513ZT, FDZ4670, AON7403, FDZ493P, FDZ5047N, FDZ7064AS, FDZ7064N, FDZ7296, ZDX050N50, ZDX080N50, ZVN0106A