FDZ493P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDZ493P  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 167 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm

Encapsulados: BGA

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FDZ493P datasheet

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FDZ493P

November 2006 FDZ493P tm P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET 20V, 4.6A, 46m Features General Description Combining Fairchild's advanced 2.5V specified PowerTrench Max rDS(on) = 46m at VGS = 4.5V, ID = 4.6A process with state of the art BGA packaging process, the Max rDS(on) = 72m at VGS = 2.5V, ID = 3.6A FDZ493P minimizes both PCB space a

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