FDZ493P Todos los transistores

 

FDZ493P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDZ493P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 167 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm
   Paquete / Cubierta: BGA
 

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FDZ493P datasheet

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FDZ493P

November 2006 FDZ493P tm P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET 20V, 4.6A, 46m Features General Description Combining Fairchild's advanced 2.5V specified PowerTrench Max rDS(on) = 46m at VGS = 4.5V, ID = 4.6A process with state of the art BGA packaging process, the Max rDS(on) = 72m at VGS = 2.5V, ID = 3.6A FDZ493P minimizes both PCB space a

Otros transistores... FDZ291P , FDZ293P , FDZ294N , FDZ298N , FDZ299P , FDZ3N513ZT , FDZ4670 , FDZ4670S , K2611 , FDZ5047N , FDZ7064AS , FDZ7064N , FDZ7296 , ZDX050N50 , ZDX080N50 , ZVN0106A , ZVN0124ASTOA .

History: SI7137DP | APG60N10NF

 

 
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