FDZ493P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDZ493P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 167 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm
Тип корпуса: BGA
FDZ493P Datasheet (PDF)
fdz493p.pdf
November 2006FDZ493PtmP-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET 20V, 4.6A, 46mFeatures General DescriptionCombining Fairchild's advanced 2.5V specified PowerTrench Max rDS(on) = 46m at VGS = 4.5V, ID = 4.6Aprocess with state of the art BGA packaging process, the Max rDS(on) = 72m at VGS = 2.5V, ID = 3.6AFDZ493P minimizes both PCB space a
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: FHP3205C
History: FHP3205C
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918