Справочник MOSFET. FDZ493P

 

FDZ493P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDZ493P
   Маркировка: E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 167 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm
   Тип корпуса: BGA
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDZ493P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:398K  fairchild semi
 fdz493p.pdf pdf_icon

FDZ493P

November 2006FDZ493PtmP-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET 20V, 4.6A, 46mFeatures General DescriptionCombining Fairchild's advanced 2.5V specified PowerTrench Max rDS(on) = 46m at VGS = 4.5V, ID = 4.6Aprocess with state of the art BGA packaging process, the Max rDS(on) = 72m at VGS = 2.5V, ID = 3.6AFDZ493P minimizes both PCB space a

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRF9Z34NSPBF | BL2N60-A

 

 
Back to Top

 


 
.