FDZ493P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDZ493P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 167 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm

Тип корпуса: BGA

Аналог (замена) для FDZ493P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDZ493P даташит

 ..1. Size:398K  fairchild semi
 fdz493p.pdf pdf_icon

FDZ493P

November 2006 FDZ493P tm P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET 20V, 4.6A, 46m Features General Description Combining Fairchild's advanced 2.5V specified PowerTrench Max rDS(on) = 46m at VGS = 4.5V, ID = 4.6A process with state of the art BGA packaging process, the Max rDS(on) = 72m at VGS = 2.5V, ID = 3.6A FDZ493P minimizes both PCB space a

Другие IGBT... FDZ291P, FDZ293P, FDZ294N, FDZ298N, FDZ299P, FDZ3N513ZT, FDZ4670, FDZ4670S, K2611, FDZ5047N, FDZ7064AS, FDZ7064N, FDZ7296, ZDX050N50, ZDX080N50, ZVN0106A, ZVN0124ASTOA