FDZ5047N Todos los transistores

 

FDZ5047N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDZ5047N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1144 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0029 Ohm
   Paquete / Cubierta: BGA
 

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FDZ5047N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  fairchild semi
 fdz5047n.pdf pdf_icon

FDZ5047N

January 2004 FDZ5047N 30V N-Channel Logic Level PowerTrench BGA MOSFET General Description Features Combining Fairchilds 30V PowerTrench process with 22 A, 30 V. RDS(ON) = 2.9 m @ VGS = 10 V state of the art BGA packaging, the FDZ5047N RDS(ON) = 4.5 m @ VGS = 4.5 V minimizes both PCB space and RDS(ON). This BGA MOSFET embodies a breakthrough in packaging

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History: HM10P10D | LSB55R050GT | FDU6688 | UPA1950 | BSL207SP | S85N042RP

 

 
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