FDZ5047N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDZ5047N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1144 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0029 Ohm

Encapsulados: BGA

 Búsqueda de reemplazo de FDZ5047N MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FDZ5047N datasheet

 ..1. Size:209K  fairchild semi
 fdz5047n.pdf pdf_icon

FDZ5047N

January 2004 FDZ5047N 30V N-Channel Logic Level PowerTrench BGA MOSFET General Description Features Combining Fairchild s 30V PowerTrench process with 22 A, 30 V. RDS(ON) = 2.9 m @ VGS = 10 V state of the art BGA packaging, the FDZ5047N RDS(ON) = 4.5 m @ VGS = 4.5 V minimizes both PCB space and RDS(ON). This BGA MOSFET embodies a breakthrough in packaging

Otros transistores... FDZ293P, FDZ294N, FDZ298N, FDZ299P, FDZ3N513ZT, FDZ4670, FDZ4670S, FDZ493P, EMB04N03H, FDZ7064AS, FDZ7064N, FDZ7296, ZDX050N50, ZDX080N50, ZVN0106A, ZVN0124ASTOA, ZVN0124ASTOB