FDZ5047N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDZ5047N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1144 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm

Тип корпуса: BGA

Аналог (замена) для FDZ5047N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDZ5047N даташит

 ..1. Size:209K  fairchild semi
 fdz5047n.pdf pdf_icon

FDZ5047N

January 2004 FDZ5047N 30V N-Channel Logic Level PowerTrench BGA MOSFET General Description Features Combining Fairchild s 30V PowerTrench process with 22 A, 30 V. RDS(ON) = 2.9 m @ VGS = 10 V state of the art BGA packaging, the FDZ5047N RDS(ON) = 4.5 m @ VGS = 4.5 V minimizes both PCB space and RDS(ON). This BGA MOSFET embodies a breakthrough in packaging

Другие IGBT... FDZ293P, FDZ294N, FDZ298N, FDZ299P, FDZ3N513ZT, FDZ4670, FDZ4670S, FDZ493P, EMB04N03H, FDZ7064AS, FDZ7064N, FDZ7296, ZDX050N50, ZDX080N50, ZVN0106A, ZVN0124ASTOA, ZVN0124ASTOB