Справочник MOSFET. FDZ5047N

 

FDZ5047N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDZ5047N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1144 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm
   Тип корпуса: BGA
 

 Аналог (замена) для FDZ5047N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDZ5047N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  fairchild semi
 fdz5047n.pdf pdf_icon

FDZ5047N

January 2004 FDZ5047N 30V N-Channel Logic Level PowerTrench BGA MOSFET General Description Features Combining Fairchilds 30V PowerTrench process with 22 A, 30 V. RDS(ON) = 2.9 m @ VGS = 10 V state of the art BGA packaging, the FDZ5047N RDS(ON) = 4.5 m @ VGS = 4.5 V minimizes both PCB space and RDS(ON). This BGA MOSFET embodies a breakthrough in packaging

Другие MOSFET... FDZ293P , FDZ294N , FDZ298N , FDZ299P , FDZ3N513ZT , FDZ4670 , FDZ4670S , FDZ493P , 2SK3918 , FDZ7064AS , FDZ7064N , FDZ7296 , ZDX050N50 , ZDX080N50 , ZVN0106A , ZVN0124ASTOA , ZVN0124ASTOB .

History: 2N7002C1A | VBA5325 | NCE50NF520 | LBSS139DW1T3G | SWB058R06E7T

 

 
Back to Top

 


 
.